【科技前沿】單分子芯片制備實(shí)驗技術(shù)問世
光明日報北京5月8日電 北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院郭雪峰教授課題組研發(fā)出成熟的單分子芯片制備實(shí)驗技術(shù),主要揭示了石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備與單分子錨定兩大關(guān)鍵步驟。這些技術(shù)生產(chǎn)的單分子器件具有普適性,將會催生新一代單分子電子設(shè)備,并與其他學(xué)科交叉融合,推動單分子交叉科學(xué)新領(lǐng)域的發(fā)展,例如單分子物理與化學(xué)基本物性、單分子化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)和單分子生物物理的發(fā)展。相關(guān)研究成果以《在分子尺度上檢測電子反應(yīng)的石墨烯-分子-石墨烯單分子結(jié)》為題,于日前在國際學(xué)術(shù)期刊《自然·協(xié)議》發(fā)表。
郭雪峰介紹,單分子是物質(zhì)世界的基本單元,是構(gòu)造物質(zhì)世界的基因,也是調(diào)控生命過程的關(guān)鍵,具有豐富的科學(xué)內(nèi)涵。其中,石墨烯基單分子器件具有確定的界面耦合、高穩(wěn)定性、對復(fù)雜環(huán)境的良好耐受性等,有望為探索無限大的底部空間打造強(qiáng)勁引擎。
研究過程中,團(tuán)隊在銅片上通過化學(xué)氣相沉積生長高質(zhì)量單層石墨烯。通過聚甲基丙烯酸甲酯的輔助,在對銅片刻蝕后,將石墨烯轉(zhuǎn)移至特定尺寸硅片上,以滿足后續(xù)測試需求。之后通過氧等離子體刻蝕,將石墨烯切割為條帶圖案。進(jìn)一步通過蒸鍍,制備電極陣列,得到石墨烯場效應(yīng)晶體管。錨定單個分子則需要制備系列間隔的石墨烯電極對。通過電子束曝光,在石墨烯表面旋涂的聚甲基丙烯酸甲酯上制備虛線窗口,結(jié)合進(jìn)一步氧等離子體各向同性刻蝕以及輔助的電燒斷,可得到石墨烯點(diǎn)接觸,進(jìn)而制備具有羧基末端、納米間隙的電極對。
隨后,研究團(tuán)隊在燒瓶中加入石墨烯芯片,根據(jù)不同分子橋末端的官能團(tuán),利用點(diǎn)擊化學(xué)或共價縮合制備共價鍵錨定的單分子結(jié)。其中,錨定的單個分子可通過電學(xué)、光學(xué)等多模態(tài)表征得到進(jìn)一步驗證:包括柵壓依賴性實(shí)驗、隨機(jī)光學(xué)重構(gòu)超分辨成像、單分子光譜以及非彈性電子隧穿譜。
“這些技術(shù)利用單個分子制備出光電子器件,為分子電子器件的潛在應(yīng)用邁出了關(guān)鍵一步,有望發(fā)展顛覆性的單分子芯片集成技術(shù)和新一代精準(zhǔn)分子診斷/測序技術(shù),也有望為揭示物質(zhì)轉(zhuǎn)換的內(nèi)在機(jī)理和生命現(xiàn)象的本征規(guī)律提供劃時代的研究范式和譜學(xué)方法,進(jìn)而推動形成單分子交叉科學(xué)新的增長點(diǎn)和科技突破口?!惫┓逭f。(記者晉浩天)
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